MASTERGAN1L

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1L
MASTERGAN1L

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
7,58 € 7,58 €
5,68 € 56,80 €
5,42 € 135,50 €
4,70 € 470,00 €
4,49 € 1.122,50 €
4,09 € 2.045,00 €
3,66 € 3.660,00 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:
Embalaje:
Reel, Cut Tape
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
6,14 €
Min:
1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
12 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marca: STMicroelectronics
Sensibles a la humedad: Yes
Pd (disipación de potencia): 40 mW
Tipo de producto: Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.): 70 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 1560
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.