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MASTERGAN1LTR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN1LTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN1LTR
Price: 6.14 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-MASTERGAN1LTR

Fabr. N.º:

MASTERGAN1LTR

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Controlador de puerta 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	6,14 €	6,14 €
	4,74 €	47,40 €
	4,39 €	109,75 €
	4,03 €	403,00 €
	3,82 €	955,00 €
	3,71 €	3.710,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	3,53 €	10.590,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-31
Número de salidas:	4 Output
Corriente de salida:	17 A
Tensión del suministro - Mín:	4.75 V
Tensión del suministro - Máx:	9.5 V
Configuración:	Non-Inverting
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
Tiempo de retraso de apagado máximo:	45 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	45 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	10 A
Pd (disipación de potencia):	40 mW
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.):	70 ns
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	330 mOhms
Apagado:	Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an R_DS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.