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BYC75W-600PT2Q

Name: WeEn Semiconductors BYC75W-600PT2Q
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 771-BYC75W-600PT2Q
Price: 3.35 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-BYC75W-600PT2Q

Fabr. N.º:

BYC75W-600PT2Q

Fabr.:

WeEn Semiconductors

Descripción:

Diodos de conmutación de señal pequeña BYC75W-600PT2/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Hoja de datos:

BYC75W-600PT2Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,35 €	3,35 €
	1,84 €	18,40 €
	1,51 €	151,00 €
	1,17 €	702,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	WeEn Semiconductors
Categoría de producto:	Diodos de conmutación de señal pequeña
RoHS:
REACH - SVHC:
Producto:	Power Diodes
Estilo de montaje:	Through Hole
Tensión inversa máxima:	600 V
Corriente de sobretensión máx.:	750 A
If - Corriente delantera:	75 A
Configuración:	Single
Tiempo de recuperación:	50 ns
Vf - Tensión delantera:	2.2 V
Ir - Corriente inversa:	10 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	WeEn Semiconductors
Tipo de producto:	Diodes - General Purpose, Power, Switching
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	SABER
Alias de parte #:	934072221127

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Diodos de potencia de recuperación ultrarrápida de NXP

Los diodos de potencia ultrarrápida de NXP están diseñados para conseguir el mejor equilibrio entre la tensión directa (VF) y el tiempo de recuperación inversa (trr) para minimizar la pérdida de energía en el diodo y en el MOSFET asociado y, por lo tanto, maximizar la eficacia energética general del sistema en aplicaciones con fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS). Representan una solución rentable en comparación con la utilización de tecnología Schottky.
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