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WeEn Semiconductors Diodos de potencia de recuperación ultrarrápida de NXP

Los diodos de potencia ultrarrápida de NXP están diseñados para conseguir el mejor equilibrio entre la tensión directa (VF) y el tiempo de recuperación inversa (trr) para minimizar la pérdida de energía en el diodo y en el MOSFET asociado y, por lo tanto, maximizar la eficacia energética general del sistema en aplicaciones con fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS). Representan una solución rentable en comparación con la utilización de tecnología Schottky.

Características

  • Hyperfast switching frequency
  • Improved high power SMPS efficiency

Aplicaciones

  • Printer power
  • PDP TV power
  • SMPS for PCs and servers
  • Switching adapters
  • LCD TV and monitor power
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Número de referencia Empaquetado / Estuche Tiempo de recuperación Vf - Tensión delantera If - Corriente delantera Hoja de datos
BYC15-600PQ TO-220AC-2 22 ns 2.7 V 15 A BYC15-600PQ Hoja de datos
BYC8-600,127 TO-220AC-2 19 ns 2 V 8 A BYC8-600,127 Hoja de datos
BYC30X-600PSQ TO-220F-2 45 ns 2 V 30 A BYC30X-600PSQ Hoja de datos
BYC8-600P,127 TO-220AC-2 19 ns 3.4 V 8 A BYC8-600P,127 Hoja de datos
BYC75W-600PT2Q 50 ns 2.2 V 75 A BYC75W-600PT2Q Hoja de datos
BYC10-600,127 TO-220-2 55 ns 2.9 V 10 A BYC10-600,127 Hoja de datos
BYC5-600,127 TO-220-2 50 ns 2.9 V 5 A BYC5-600,127 Hoja de datos
BYC8-1200PQ TO-220AC-2 46 ns 2.4 V 8 A BYC8-1200PQ Hoja de datos
BYC30W-600PQ TO-247-2 29 ns 2 V 30 A BYC30W-600PQ Hoja de datos
BYC5D-500,127 TO-220AC-2 16 ns 1.5 V 5 A BYC5D-500,127 Hoja de datos
Publicado: 2015-04-23 | Actualizado: 2022-03-11