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BSH205G2VL

Name: Nexperia BSH205G2VL
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2VL
Price: 0.49 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-BSH205G2VL

Fabr. N.º:

BSH205G2VL

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET BSH205G2/SOT23/TO-236AB

Hoja de datos:

BSH205G2VL Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-23-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.3 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	170 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	950 mV
Qg (carga de compuertas):	6.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	890 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	934068496235
Peso unitario:	8 mg

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Hoja de datos

BSH205G2VL Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET Trench de canal P de 20 V BSH205G2

El MOSFET Trench de canal P de NXP es un transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora en un paquete plástico de pequeño tamaño SOT23 (SMD). Emplea la tecnología MOSFET Trench y ofrece una tensión de umbral baja y una conmutación muy rápida. Este MOSFET es perfecto para aplicaciones tales como controladores de relé, controladores de líneas de alta velocidad y circuitos de conmutación.
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PRODUCTOS DESTACADOS

NEXPERIA

BUK7Q N-Channel MOSFET in MLPAK33-WF Package

Uses Trench 9 technology, meets AEC-Q101 requirements.

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BUK9Q N-Channel Trench MOSFET

Logic-level compatible, fast switching, and fully automotive qualified to AEC-Q101 at 175°C.

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BUK6Q66-60PJ MOSFET

P-channel FET in an MLPAK33 (SOT8002-3) SMD plastic package using Trench MOSFET technology.

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BUK6Q8R2-30PJ MOSFET

P-channel FET in an MLPAK33 (SOT8002-3) SMD plastic package using Trench MOSFET technology.

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BUK6Q12-40PJ MOSFET

P-channel FET in an MLPAK33 (SOT8002-3) SMD plastic package using Trench MOSFET technology.

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Disponibilidad

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Pedido:: 19.999

Fecha prevista: 22/01/2027
Plazo de producción de fábrica:: 53

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,49 €	0,49 €
	0,341 €	3,41 €
	0,215 €	21,50 €
	0,135 €	67,50 €
	0,118 €	118,00 €
	0,104 €	260,00 €
	0,089 €	445,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)
	0,078 €	780,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

BSH205G2VL

Fabr.: Nexperia

Descripción: MOSFET BSH205G2/SOT23/TO-236AB

Especificaciones

Documentos (4)

Hoja de datos

Application Notes

PCN

Documentos medioambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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MOSFET Trench de canal P de 20 V BSH205G2

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Nexperia

Descripción:

MOSFET BSH205G2/SOT23/TO-236AB

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