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BSH205G2VL

Name: Nexperia BSH205G2VL
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSH205G2VL
Price: 0.42 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-BSH205G2VL

Fabr. N.º:

BSH205G2VL

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET SOT23 P-CH 20V 2.3A

Hoja de datos:

BSH205G2VL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 29.979

Fecha prevista: 08/02/2027
Plazo de producción de fábrica:: 16

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,421 €	0,42 €
	0,302 €	3,02 €
	0,191 €	9,55 €
	0,17 €	17,00 €
	0,119 €	119,00 €
	0,092 €	230,00 €
	0,083 €	415,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)
	0,083 €	830,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-23-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	2.3 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	170 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	950 mV
Qg (carga de compuertas):	6.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	890 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	934068496235
Peso unitario:	8 mg

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Hoja de datos

BSH205G2VL Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET Trench de canal P de 20 V BSH205G2

El MOSFET Trench de canal P de NXP es un transistor de efecto de campo (FET) con modo de mejora en un paquete plástico de pequeño tamaño SOT23 (SMD). Emplea la tecnología MOSFET Trench y ofrece una tensión de umbral baja y una conmutación muy rápida. Este MOSFET es perfecto para aplicaciones tales como controladores de relé, controladores de líneas de alta velocidad y circuitos de conmutación.
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SOT23 Surface-Mounted Package Products

Nexperia SOT23 Surface-Mounted Package Products are contained in a plastic, surface-mounted, three terminals, 1.9mm pitch, 2.9mm x 1.3mm x 1mm package. This mainstay package in semiconductors was introduced in 1969 and quickly became an industry standard. The SOT23 encapsulates an extensive range of diodes, bipolar transistors, MOSFETs, and ESD protection devices within Nexperia's portfolio. The SOT23 package has been a constant for the last 50 years, leading to several offspring, such as the SOT223 and SOT323.