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NTBG025N065SC1

Name: onsemi NTBG025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG025N065SC1
Price: 17.63 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTBG025N065SC1

Fabr. N.º:

NTBG025N065SC1

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V

Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	106 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	28.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.3 V
Qg (carga de compuertas):	164 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	395 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	27 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	19 ns
Serie:	NTBG025N065SC1
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	32 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns

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PCN

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Material Composition Disclosure

ECCN:: EAR99

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a D2PAK-7L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTBG025N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.