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FOD8383V

Name: onsemi FOD8383V
Brand: onsemi
SKU: 512-FOD8383V
Price: 2.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

512-FOD8383V

Fabr. N.º:

FOD8383V

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Optoacopladores de salida MOSFET FOD8383 2.5 A Output Current, High-Speed, MOSFET/IGBT Gate Drive Optocoupler in Optoplanar Wide-Body SOP 5-Pin

Hoja de datos:

FOD8383V Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	2,43 €	9.720,00 €
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Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

FOD8383R2V

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

5,08 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Optoacopladores de salida MOSFET
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOP-5
Tipo de salida:	Push-Pull
Número de canales:	1 Channel
Voltaje de aislamiento:	5000 Vrms
If - Corriente delantera:	25 mA
Vf - Tensión delantera:	1.43 V
Vr - Tensión inversa:	5 V
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 100 C
Serie:	FOD8383
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Tiempo de caída:	25 ns
Tipo de producto:	MOSFET Output Optocouplers
Tiempo de establecimiento:	35 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	Optocouplers
Peso unitario:	400 mg

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Hoja de datos

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PCN

TARIC:: 8541409000
CNHTS:: 8541490000
CAHTS:: 8541490020
USHTS:: 8541498000
KRHTS:: 8541409029
ECCN:: EAR99

Optoacopladores controladores de compuerta MOSFET/IGBT de alta velocidad FOD8383/4

Los optoacopladores controladores de compuerta MOSFET/IGBT de alta velocidad FOD8383/4 de Fairchild son optoacopladores controladores de compuerta con corriente de salida de 2,5 A y capacidad para activar IGBT/MOSFET de media potencia. Son especialmente idóneos para activación de conmutación rápida de IGBT y MOSFET de alimentación utilizados en aplicaciones con inversores de control de motores y sistemas de alimentación de alto rendimiento. FOD8383/4 utiliza la tecnología de empaquetado coplanar Optoplanar® de Fairchild y un diseño de CI optimizado para obtener tensión fiable de alto aislamiento y elevada inmunidad al ruido. Cada dispositivo se compone de un diodo emisor de luz (LED) de arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) acoplado con un circuito integrado con un accionador de alta velocidad para realizar las acciones push-pull de la etapa de salida del MOSFET.
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