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CSD17484F4T

Name: Texas Instruments CSD17484F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17484F4T
Price: 1.29 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

595-CSD17484F4T

Fabr. N.º:

CSD17484F4T

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17484 A 595-CSD17484F4

Hoja de datos:

CSD17484F4T Hoja de datos

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,29 €	1,29 €
	0,814 €	8,14 €
	0,467 €	46,70 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 250)
	0,467 €	116,75 €
	0,398 €	199,00 €
	0,357 €	357,00 €
	0,342 €	855,00 €
	0,336 €	1.680,00 €
	0,333 €	3.330,00 €
	0,328 €	8.200,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD17484F4

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

0,36 €

Min:

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Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD17484F4

Descripción:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17484F4T

Comparar con pieza actual

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PICOSTAR-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	128 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	650 mV
Qg (carga de compuertas):	920 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	FemtoFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	1 ns
Serie:	CSD17484F4
Cantidad del paquete de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	11 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	3 ns
Peso unitario:	0,400 mg