Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

CSD17484F4

Name: Texas Instruments CSD17484F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17484F4
Price: 0.36 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

595-CSD17484F4

Fabr. N.º:

CSD17484F4

Fabr.:

Texas Instruments

Descripción:

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17484F4T

Hoja de datos:

CSD17484F4 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Texas Instruments CSD17484F4

En existencias: 74.111

Existencias:: 74.111 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 12 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1 Máximo: 4140

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,361 €	0,36 €
	0,223 €	2,23 €
	0,141 €	14,10 €
	0,106 €	53,00 €
	0,094 €	94,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,078 €	234,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

CSD17484F4T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

1,29 €

Min:

Producto similar

Fabr.:

Texas Instruments

Fabr. N.º:

CSD17484F4T

Descripción:

MOSFET 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17484 A 595-CSD17484F4

Comparar con pieza actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PICOSTAR-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	128 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	650 mV
Qg (carga de compuertas):	920 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	1 ns
Serie:	CSD17484F4
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	11 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	3 ns
Peso unitario:	0,400 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

SPICE Models

Technical Resources

CSD17484F4 TINA-TI Reference Design

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: China

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET di potenza FemtoFET

Los MOSFET de alimentación FemtoFET de Texas Instruments tienen un tamaño muy reducido (tamaño de carcasa 0402) con muy baja resistencia (70% menos que la competencia). Estos MOSFET incluyen niveles extremadamente bajos de Qg y Qgd y ESD optimizado. Están disponibles en un paquete de matriz de red de tierra (LGA). Este paquete maximiza el contenido de silicio y son ideales para aplicaciones con espacio limitado. Estos MOSFET de alimentación ofrecen disipación de potencia baja y poca pérdida de conmutación para mejorar el rendimiento con carga ligera. Aplicaciones típicas para estos dispositivos: aplicaciones de conmutación manual, móvil, de carga, conmutación general y de baterías.
Más información