Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

STFI12N60M2

Name: STMicroelectronics STFI12N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STFI12N60M2
Price: 1.76 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

511-STFI12N60M2

Fabr. N.º:

STFI12N60M2

Fabr.:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Existencias:: 799 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Las cantidades mayores que 799 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Fabr.:

STMicroelectronics

Fabr. N.º:

STF12N60M2

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Comparar con pieza actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-262-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	450 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	16 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	25 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9.2 ns
Serie:	STFI12N60M2
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	56 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9.2 ns
Peso unitario:	2,387 g