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STF12N60M2

Name: STMicroelectronics STF12N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF12N60M2
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STF12N60M2

Fabr. N.º:

STF12N60M2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,66 €	1,66 €
	0,797 €	7,97 €
	0,71 €	71,00 €
	0,566 €	283,00 €
	0,494 €	494,00 €
	0,445 €	890,00 €
	0,424 €	2.120,00 €
	0,423 €	4.230,00 €
	0,421 €	10.525,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	450 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 25 V, 25 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	16 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	25 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	9.2 ns
Serie:	STF12N60M2
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	56 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9.2 ns
Peso unitario:	2 g

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PCN

Product Change Notification 2024-04-02 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET de alimentación MDmesh™ II

Los MOSFET de alimentación MDmesh™ II de STMicroelectronics asocian una estructura vertical a la distribución en tiras de STM para conseguir uno de los niveles de resistencia de encendido y de carga de compuertas más bajos de la industria, lo que los hace adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes. Estos MOSFET de alimentación MDmesh™ II están completamente aislados, tienen un paquete de perfil bajo con ruta de fugas ampliada desde el pin hasta la placa del disipador. Su resistencia frente a las avalanchas está probada al 100% y su capacitancia de entrada, su carga de compuertas, y su resistencia de entrada de compuertas son bajas.
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