STDRIVEG611QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611QTR
STDRIVEG611QTR

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 3000   Múltiples: 3000
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-,-- €
Precio total:
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Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
1,36 € 4.080,00 €
1,33 € 7.980,00 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
2,59 €
Min:
1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Marca: STMicroelectronics
Voltaje de entrada - Máx: 20 V
Voltaje de entrada - Mín: 3.3 V
Tiempo de retraso de apagado máximo: 60 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo: 60 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Voltaje de salida: 520 V
Tipo de producto: Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.): 60 ns
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 7 Ohms
Apagado: Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
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STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver is a high-voltage half-bridge gate driver for N-channel Enhancement Mode GaN. The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.