STDRIVEG611Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611Q
STDRIVEG611Q

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 230

Existencias:
230 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,59 € 2,59 €
1,94 € 19,40 €
1,78 € 44,50 €
1,60 € 160,00 €
1,46 € 365,00 €
1,42 € 710,00 €
1,40 € 1.400,00 €
1,37 € 3.425,00 €
1,34 € 6.566,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Marca: STMicroelectronics
Voltaje de entrada - Máx: 20 V
Voltaje de entrada - Mín: 3.3 V
Tiempo de retraso de apagado máximo: 60 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo: 60 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Apagado: No Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica: 4900
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Peso unitario: 44 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG611 Half-Bridge Gate Driver is a high-voltage half-bridge gate driver for N-channel Enhancement Mode GaN. The high-side driver section is designed to stand a voltage rail up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG611 optimized for driving high-speed GaN.