MASTERGAN4TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4TR
MASTERGAN4TR

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 3000   Múltiples: 3000
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
3,33 € 9.990,00 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
9,79 €
Min:
1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Marca: STMicroelectronics
Características: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Voltaje de entrada - Máx: 15 V
Voltaje de entrada - Mín: 3.3 V
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 225 mOhms
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Peso unitario: 150 mg
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.