MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Modelo ECAD:
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En existencias: 115

Existencias:
115 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 115 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
9,79 € 9,79 €
7,53 € 75,30 €
7,04 € 176,00 €
6,39 € 639,00 €
6,10 € 1.525,00 €
5,86 € 2.930,00 €
5,41 € 5.410,00 €
2.500 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marca: STMicroelectronics
Características: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Voltaje de entrada - Máx: 15 V
Voltaje de entrada - Mín: 3.3 V
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 225 mOhms
Cantidad del paquete de fábrica: 1560
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Peso unitario: 150 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.