MASTERGAN1TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1TR
MASTERGAN1TR

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

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No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 3000   Múltiples: 3000
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-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:
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Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
3,39 € 10.170,00 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
7,71 €
Min:
1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
2 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Marca: STMicroelectronics
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.