MASTERGAN1

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1
MASTERGAN1

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 374

Existencias:
374 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
9,39 € 9,39 €
7,59 € 75,90 €
7,14 € 178,50 €
6,64 € 664,00 €
6,40 € 1.600,00 €
6,25 € 3.125,00 €
5,53 € 5.530,00 €
2.500 Cotización

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
1 Output
10 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marca: STMicroelectronics
Kit de desarrollo: EVALMASTERGAN1
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 680 uA
Tipo de producto: Gate Drivers
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 330 mOhms
Apagado: Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica: 1560
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Peso unitario: 120 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.