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PMV50XPAR

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Mouser REF:

771-PMV50XPAR

Fabr. N.º:

PMV50XPAR

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.

Hoja de datos:

PMV50XPAR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-23-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	3.6 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	60 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	7.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.096 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	68 ns
Transconductancia delantera: mín.:	9 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	135 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns
Alias de parte #:	934665703215

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Atributos seleccionados: 0

                        
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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET Trench de canal P PMVxx

Los MOSFET Trench de canal P deNXP son transistores de efecto de campo (FET) con modo de mejora en un paquete plástico de pequeño tamaño SOT23 (SMD). Emplean la tecnología MOSFET Trench y ofrecen una tensión de umbral baja y una conmutación muy rápida. Estos MOSFET son perfectos para aplicaciones tales como controladores de relé, controladores de líneas de alta velocidad, conmutadores de carga de lateral bajo y circuitos de conmutación.
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