Nexperia MOSFET Trench de canal P PMVxx
Los MOSFET Trench de canal P deNXP son transistores de efecto de campo (FET) con modo de mejora en un paquete plástico de pequeño tamaño SOT23 (SMD). Emplean la tecnología MOSFET Trench y ofrecen una tensión de umbral baja y una conmutación muy rápida. Estos MOSFET son perfectos para aplicaciones tales como controladores de relé, controladores de líneas de alta velocidad, conmutadores de carga de lateral bajo y circuitos de conmutación.
Features
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 2kV ESD protected
- Low on-state resistance
- Enhanced power dissipation capability of 1096mW
- Enhanced power dissipation capability: Ptot= 1000mW
Aplicaciones
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side load switch
- Switching circuits
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