Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

MSCSM70XM75CTYZBNMG

Name: Microchip MSCSM70XM75CTYZBNMG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-SM70XM75CTYZBNMG
Price: 548.03 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

579-SM70XM75CTYZBNMG

Fabr. N.º:

MSCSM70XM75CTYZBNMG

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD

Hoja de datos:

MSCSM70XM75CTYZBNMG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 2 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	548,03 €	1.096,06 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	3-Phase Bridge
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión delantera:	1.5 V
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 23 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	108 mm x 76.3 mm x 17.2 mm
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Marca:	Microchip Technology
Tiempo de caída:	20 ns
Id: corriente de drenaje continuo:	31 A
Pd (disipación de potencia):	90 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	75 mOhms
Tiempo de establecimiento:	35 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	40 ns
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	700 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.4 V