Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

MSCSM120HM31CTBL2NG

Name: Microchip MSCSM120HM31CTBL2NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-SM120HM31CTBL2NG
Price: 189.31 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

579-SM120HM31CTBL2NG

Fabr. N.º:

MSCSM120HM31CTBL2NG

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2

Hoja de datos:

MSCSM120HM31CTBL2NG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Microchip Technology MSCSM120HM31CTBL2NG

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 3 Múltiples: 3

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	189,31 €	567,93 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	Full Bridge
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión delantera:	1.5 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Full Bridge
Tiempo de caída:	25 ns
Id: corriente de drenaje continuo:	79 A
Pd (disipación de potencia):	310 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	31 mOhms
Tiempo de establecimiento:	30 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.8 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MSCSM120HM31CTBL2NG Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MSCSM120x MOSFET Power Modules

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET Power Modules are high-efficiency converters that feature Si₃N₄ substrate with thick copper for improved thermal performance. These modules offer a low profile, direct mounting to the heatsink (isolated package), an internal thermistor for temperature monitoring, and an extended temperature range. The MSCSM120x modules operate at 1.2kV reverse voltage (V_R), -10V to 25V gate-source voltage range (V_GS), 310W/560W power dissipation (P_D), and 79A/150A continuous drain current (I_D). These modules are used in applications such as high-reliability power systems, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, motor control, and AC switches.