MSCSM120HM31CT3AG

Microchip Technology
494-120HM31CT3AG
MSCSM120HM31CT3AG

Fabr.:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Modelo ECAD:
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En existencias: 4

Existencias:
4 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Tarifa estimada:
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Precio (EUR)

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Precio total
172,72 € 172,72 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
Full Bridge
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
SP3F
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Marca: Microchip Technology
Tiempo de caída: 25 ns
Id: corriente de drenaje continuo: 89 A
Pd (disipación de potencia): 395 W
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 31 mOhms
Tiempo de establecimiento: 30 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 1
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Polaridad de transistor: N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 30 ns
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 1.2 kV
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 1.8 V
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USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99