MSCSM120AM11CT3AG

Microchip Technology
494-120AM11CT3AG
MSCSM120AM11CT3AG

Fabr.:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 3   Múltiples: 3
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
247,36 € 742,08 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
SP3F
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Marca: Microchip Technology
Tiempo de caída: 25 ns
Id: corriente de drenaje continuo: 254 A
Pd (disipación de potencia): 1.067 kW
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 10.4 mOhms
Tiempo de establecimiento: 30 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 1
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Polaridad de transistor: N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 30 ns
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 1.2 kV
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 1.8 V
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ECCN:
EAR99