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MSCSM120AM042CD3AG

Name: Microchip MSCSM120AM042CD3AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-120AM042CD3AG
Price: 565.67 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

494-120AM042CD3AG

Fabr. N.º:

MSCSM120AM042CD3AG

Fabr.:

Microchip Technology

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	MOSFET / SiC SBD
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión delantera:	1.5 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	D3
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Microchip Technology
Tiempo de caída:	67 ns
Id: corriente de drenaje continuo:	495 A
Pd (disipación de potencia):	2.031 kW
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5.2 mOhms
Tiempo de establecimiento:	55 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	166 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	56 ns
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.8 V