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MSCSM120AM03CT6LIAG

Name: Microchip MSCSM120AM03CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-SM120AM03CT6LIAG
Price: 849.16 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

494-SM120AM03CT6LIAG

Fabr. N.º:

MSCSM120AM03CT6LIAG

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	MOSFET / SiC SBD
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión delantera:	1.5 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 25 V
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SP6
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	67 ns
Id: corriente de drenaje continuo:	805 A
Pd (disipación de potencia):	3.215 kW
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.1 mOhms
Tiempo de establecimiento:	55 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad de transistor:	N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	166 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	56 ns
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.8 V

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USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (T_c) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.