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MSCMC120AM03CT6LIAG

Mouser REF:

494-MSCMC120AM03CT6L

Fabr. N.º:

MSCMC120AM03CT6LIAG

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos CC6263

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Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

MSCMC120AM03CT6LIAG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Actualmente Mouser no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: No disponible
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.