Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

APTMC120AM09CT3AG

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

494-MC120AM09CT3AG

Fabr. N.º:

APTMC120AM09CT3AG

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos DOR CC3179

Ver en el Selector de herramientas de desarrollo

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

APTMC120AM09CT3AG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Alerta de envío:

Actualmente Mouser no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
Restricciones de envío:	Actualmente Mouser no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Cantidad del paquete de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: No disponible
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

Silicon Carbide (SiC) Power Modules

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Power Modules combine a formidable array of technologies into a single package optimized for reliability, efficiency, space-saving, and reduced assembly time. The readily available standard module product line from Microchip Technology spans a wide selection of circuit topologies, semiconductors including Silicon Carbide, voltage and current ratings, and packages. Unique requirements can be met with application-specific power modules (ASPM®).