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AS4C16M16MSA-6BINTR

Name: Alliance Memory AS4C16M16MSA-6BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-A4C16M16MSA6BINT
Price: 5.43 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

913-A4C16M16MSA6BINT

Fabr. N.º:

AS4C16M16MSA-6BINTR

Fabr.:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT

Hoja de datos:

AS4C16M16MSA-6BINTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

AS4C16M16MSA-6BIN

Embalaje:

Tray

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

8,75 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM Mobile
Tamaño de memoria:	256 Mbit
Anchura de bus de datos:	16 bit
Frecuencia máxima de reloj:	166 MHz
Empaquetado / Estuche:	FBGA-54
Organización:	16 M x 16
Tiempo de acceso:	6 ns
Tensión del suministro - Mín:	1.7 V
Tensión del suministro - Máx:	1.95 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	AS4C16M16MSA-6
Empaquetado:	Reel
Marca:	Alliance Memory
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro (máx.):	80 mA

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Hoja de datos

AS4C16M16MSA-6BINTR Hoja de datos (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320024
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.