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AS4C16M16MSA-6BIN

Name: Alliance Memory AS4C16M16MSA-6BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C16M16MSA6BIN
Price: 9.25 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

913-AS4C16M16MSA6BIN

Fabr. N.º:

AS4C16M16MSA-6BIN

Fabr.:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT

Hoja de datos:

AS4C16M16MSA-6BIN Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	7,94 €	794,00 €
	7,61 €	1.902,50 €
	7,40 €	3.700,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM Mobile
Tamaño de memoria:	256 Mbit
Anchura de bus de datos:	16 bit
Frecuencia máxima de reloj:	166 MHz
Empaquetado / Estuche:	FBGA-54
Organización:	16 M x 16
Tiempo de acceso:	6 ns
Tensión del suministro - Mín:	1.7 V
Tensión del suministro - Máx:	1.95 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	AS4C16M16MSA-6
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	319
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro (máx.):	80 mA

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Hoja de datos

AS4C16M16MSA-6BIN Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320024
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: Taiwán
País de difusión:: Taiwán

El país puede cambiar en el momento del envío.

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.