Vishay / Siliconix MOSFET de canal N TrenchFET Gen IV
Los MOSFET de canal N TrenchFET® Gen IV deVishay Siliconix son MOSFET de alimentación de canal N de la familia TrenchFET® de última generación de Vishay. Estos nuevos dispositivos utilizan un diseño de alta densidad y los SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP, y SiSA04DN ofrecen la resistencia de encendido más baja del sector de 1,35 mΩ a 4,5 V, y una baja carga de compuerta total en los paquetes SO-8 y 1212-8 PowerPAK®. Sus prestaciones incluyen un RDS(activo)bajo, que adapta la tensión a menores pérdidas de conducción para reducir el consumo de energía, una relación Qdg/Qgs muy baja de 0,5 o inferior, y los paquetes 1212-8 PowerPAK® con una eficiencia similar y un tercio de su tamaño. Las aplicaciones habituales incluyen convertidores CC/CC de alta potencia, rectificación síncrona, convertidores de tipo buck síncronos y OR-ing.
The TrenchFET MOSFETs are available in a broad range of power MOSFETs in a wide selection of advanced packages such as -200V to 800V breakdown voltages and 1.2V wide range of gate drive voltages. These MOSFETs are optimized with lowest Rds(on) for load switch applications and for lowest gate charge and capacitances for fast switching. The MOSFETs are differentiated with low voltage and medium voltage TrenchFETs.
The Low Voltage TrenchFET® feature high efficiency, increased power density, and come with space-saving packages. These are ideal for consumer electronics, drones, computers, and telecom equipment.
The Medium Voltage TrenchFET® feature compact and highly efficient devices that enable layout optimization, reduce component count, and enable the highest efficiency. These are ideal for power supplies, motor drive control, and renewable energy.
Vishay Siliconix SkyFET MOSFETs are also part of the Vishay Siliconix TrenchFET Gen IV Power MOSFETs offering.
Características
- Next-generation technology optimizes several key specifications:
- DS(on)S=4.5V
- Down to ultra-low RDS(on) of 0.001Ω at VGS=10V
- Very low Qgd and exceptionally low Qgd/Qgs ratio:<0.5
- Qgd/Qgs ratio down to 0.3
- Improved immunity to CdV/dt gate coupling
