Texas Instruments MOSFET di potenza FemtoFET
Los MOSFET de alimentación FemtoFET de Texas Instruments tienen un tamaño muy reducido (tamaño de carcasa 0402) con muy baja resistencia (70% menos que la competencia). Estos MOSFET incluyen niveles extremadamente bajos de Qg y Qgd y ESD optimizado. Están disponibles en un paquete de matriz de red de tierra (LGA). Este paquete maximiza el contenido de silicio y son ideales para aplicaciones con espacio limitado. Estos MOSFET de alimentación ofrecen disipación de potencia baja y poca pérdida de conmutación para mejorar el rendimiento con carga ligera. Aplicaciones típicas para estos dispositivos: aplicaciones de conmutación manual, móvil, de carga, conmutación general y de baterías.
Características
- Ultra small footprint (0402 case size)
- 1.0mmx0.6mm
- Industry standard package footprint
- Low height profile - >0.35mm
- Ultra low resistance, 70% less than competitors
- Ultra low Qg & Qgd
- Land grid array (LGA) package maximizes silicon content
- Optimized ESD ratings
- Ideal for space-constrained applications such as cell phones and tablets
- Easy second sourcing
- Supports thin Z-height products
- Low power dissipation
- Low switching losses; Improved light load performance
- Supports Id currents > 2 amps, double the nearest competitor
- Robust manufacturing
Aplicaciones
- Handheld and mobile
- Load switch
- General purpose switching
- Battery
Publicado: 2015-03-06
| Actualizado: 2022-03-11