Protección ESD TrEOS de NXP Semiconductor

Protección ESD TrEOS de NXP Semiconductor

La protección ESD TrEOS de NXP Semiconductor admite el uso de SuperSpeed USB de hasta 10 Gbps. La protección ESD TrEOS protege contra descargas de 20 kV y supera los requisitos de la norma IEC 61000-4-2, nivel 4. La protección ESD TrEOS también ofrece protección contra sobretensión para impulsos de hasta 9 A. Entre las aplicaciones se incluyen: líneas de datos de velocidad de gran velocidad, como USB 3.1 y HDMI 2.0, líneas de interfaz para E/S sensibles y protección general para ESD.

Características
  • Capacitancia ultrabaja típica de 0,10 pF
  • Admite SuperSpeed USB a 10 Gbps
  • Resistencia dinámica baja típica de 0,10 Ω
  • Tecnología de retroceso profundo
  • Tensiones de acoplamiento extremadamente bajas
  • Descarga por contacto de hasta 20 kV
  • Supera los requisitos de la norma IEC 61000-4-2, nivel 4
  • Hasta 9 A (pulsos de 8/20 µs, IEC 6100-4-5)
Aplicaciones
  • Líneas de transmisión de datos de velocidad muy elevada, incluyendo USB 3.1 a 10 Gbps y HDMI 2.0
  • Líneas de interfaz con E/S muy sensibles
  • Protección contra ESD genérica
 
Part NumberNumber of ChannelsBreakdown VoltageClamping VoltageCd - Diode CapacitancePackage / CaseData Sheet







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