Transistores con VCEsat bajo (BISS) de NXP

Transistores con VCEsat bajo (BISS) de NXP

Los transistores con VCEsat bajo (BISS) de NXP ofrecen un conmutador de carga doble usando dobles transistores con resistencia (RET) y dobles transistores BISS. Los transistores con VCEsat bajo (BISS) de NXP mantienen el consumo energético y la disipación térmica en un mínimo, ofreciendo bajo consumo energético y capacidad de corriente de colector alta al utilizar la innovadora tecnología de emisores de malla.
Características
  • Alto rendimiento en un espacio de placa reducido
  • Ganancia de corriente alta hFE en IC alto
  • Tensión de saturación de colector-emisor VCEsat y resistencia RCEsat correspondiente (hasta <30>
  • Sustitución rentable de transistores de potencia media y grande como SOT89, SOT223, TO-126 y DPAK
  • IC e ICM con capacidad de corriente de colector alta
Aplicaciones
  • Interruptor de alimentación para sistemas LAN y ADSL / conversión de corriente media CC a CC
  • Aplicaciones de inversores, p. ej., pantallas TFT
  • Controladores de periféricos de media potencia, p. ej., ventilador, motor...
  • Cargadores de batería / conmutadores de carga
  • Unidades de flash estroboscópico para cámaras fotográficas digitales y teléfonos móviles
Número de referenciaPaquete / CajaPolaridad de transistorTensión de colector-emisor VCEO máx.Tensión de saturación de colector-emisorCorriente de colector CC máximaGanancia de corriente CC hFE MaxHoja de datos
Carga Primero Anterior Siguiente Último
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