Commit to Memory with Cypress’ Parallel F-RAM Non-Volatile Memory Now at Mouser

December 15, 2014 - Mouser Electronics, Inc. is now stocking Parallel F‑RAM Non-Volatile Memory from Cypress Semiconductor. Cypress' family of Ferroelectric Random Access Memories (F-RAMs) read and write just like conventional SRAM while retaining data when power is removed just like Flash memory. These highly-reliable F-RAMs feature a variety of interface and density options, are available in memory sizes ranging up to 4 Mbit, and provide data retention for up to 151 years.

The Cypress Parallel F‑RAM Non-Volatile Memory, available from Mouser Electronics, can be used as a drop-in replacement for any standard SRAM with the advantage of retaining data when power is removed. F‑RAMs are considered one of the industry's fastest, most energy-efficient nonvolatile memory solutions available. All F‑RAM cells are inherently low power and operate without a charge pump. The Cypress F‑RAM memory cells feature an extremely high-endurance rate of 100 trillion read/write cycles while maintaining low-energy consumption. Cypress F‑RAMs are resistant to data corruption from gamma radiation and offer high immunity to electromagnetic interference (EMI). Fast write timing combined with high write endurance and NoDelay™ writes makes Cypress's F‑RAMs superior for non-volatile memory situations.

All products within the Cypress family of F‑RAMs are fully RoHS-compliant and operate at an industrial temperature rating of -40°C to +85°C. Available memory sizes range from 64kbit to 4Mbit, with supply voltages ranging from 3.3V to 5V. Cypress F‑RAMs are an ideal solution for low-power, non-volatile memory applications, including those found in the automotive, industrial, computing, networking, smart meter, and multifunction printer markets.

To learn more, visit http://www.mouser.com/new/Cypress-Semiconductor/cypress-parallel-fram/.

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