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MOSFET de potencia para automoción SQ de Vishay SiliconixLos MOSFET de potencia para automoción SQ de Vishay Siliconix son MOSFET de potencia con calificación AEC-Q101 que se fabrican con un diseño de proceso especial que está optimizado para la excelencia en automoción. Con tecnología TrenchFET® de canal N y canal P de baja resistencia de encendido, los MOSFET de potencia para automoción de Vishay están calificados para una temperatura de unión máxima de 175 °C. Los paquetes incluyen el TO-262, D2PAK (TO-263), y el DPAK además de varias opciones para ahorrar espacio y de tamaño reducido. Por ejemplo, el PowerPAK® SO-8L, de 5,13 mm por 6,15 mm por 1,07 mm, ocupa la mitad del tamaño del DPAK pero ofrece la misma resistencia de encendido, y una resistencia térmica baja de hasta 1,5 °C/W. Todavía más pequeño con un tamaño de 3,3 mm por 3,3 mm por 1,04 mm, el PowerPAK 1212-8 ofrece una resistencia de encendido similar a la del SO-8 en aproximadamente 1/3 del tamaño, con una resistencia térmica de 2,4 °C/W. La serie SQ incluye además dispositivos en pequeños tamaños como el TSOP-6, SOT-23, y los diminutos SC-70 PowerPAK SC-70 de 2 mm por 2 mm. Ver toda la gama de MOSFET de potencia de Vishay Siliconix |
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| Part Number | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vgs - Gate-Source Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Pd - Power Dissipation | Data Sheet | |||||||
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| Part Number | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vgs - Gate-Source Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Pd - Power Dissipation | Data Sheet | |||||||
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