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Equipos de rayos X
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Equipos de rayos X

095/096 PLL-4TSI Condensadores de energía con cierre de larga duración a 85 °C Características Larga vida útil: hasta 10 000 h a 85 °C con corriente de rizado alto Cierre de 4 terminales para un montaje estable sobre una placa de PC y polaridad marcada ESR bajo, capacidad de corriente de rizado alta Tamaños de 35 mm x 50 mm hasta 45 mm x 100 mm; 350 V a 450 V Hoja de datos de 095 PLL-4TSI Hoja de datos de 096 PLL-4TSI Ver información de producto	Si4286DY MOSFET de potencia de canal N dual de 40 V Características Paquete SO-8 Resistencia de encendido máxima de 0,0325 Ω Carga de compuertas típica de 6,8 nC a VGS = 10 V Hoja de datos Ver información de producto	BYG23T Diodo de avalancha ultrarrápida de alta tensión Características Paquete SMA de perfil bajo Corriente inversa baja Tensión inversa alta Tiempo de recuperación inversa ultrarrápido Hoja de datos Ver información de producto
RNX Resistencia de óxido de metal con plomo axial Características Tensiones altas de hasta 8 kV; valores de resistencia altos de hasta 2 GΩ Tolerancias de 0,5 %; coeficiente de temperatura de 50 ppm/°C Recubrimiento con silicona ignífuga o epoxi pirorretardante Construcción no inductiva opcional o cables DIA de 0,032" disponibles Hoja de datos Ver información de producto	Condensadores de disco cerámico de alta tensión serie 715C Condensadores de disco cerámico de alta tensión Características Cerámica de clase 1 y clase 2 Tensiones CC nominales: de 10 kVDC a 40 kVDC, tensiones CA nominales: de 4 kVRMS a 13 kVRMS Intervalo de temperaturas de funcionamiento: de -30 °C a 85 °C Montaje de terminales de tornillo Hoja de datos de 715C..DK Hoja de datos de 715C..KT Ver información de producto	SiHG24N65E MOSFET de potencia de canal N único de 650 V Características Tecnología Super Junction de alta tensión serie E de alto rendimiento Corriente máxima de 24 A Paquete TO-247 Máxima resistencia de encendido de 0,145 Ω a VGS = 10 V Hoja de datos Ver información de producto
ROX Resistencia de óxido de metal con plomo axial Características Altas tensiones de hasta 45 kV Valores de resistencia óhmica alta (hasta 3 GΩ) Versiones no inductivas disponibles Construcciones opcionales (cuerpo sólido, cables DIA de 0,040", terminales roscados) disponibles Hoja de datos Ver información de producto	Serie LPS Resistencias de película gruesa de alta potencia Características Alta potencia para un tamaño pequeño de hasta 1100 W a 25 °C Peso reducido 83 g No inductivo de 1 µH Alta capacidad de pulso hasta un pulso corto de 1000 J Hoja de datos de LPS 300 Hoja de datos de LPS 600 Hoja de datos de LPS 800 Hoja de datos de LPS 1100 Ver información de producto	MLCC serie no magnética Vitramon de Vishay para aplicaciones no magnéticas Características C0G (N P0) y componentes dieléctricos X7R, tamaños: de 0402 a 3640, hasta 3000 V, capacitancia de hasta 6,8 µF Fabricado con materiales no magnéticos y filtrado de seguridad de propiedades magnéticas Los métodos de montaje permitidos son unión con epoxi conductivo y reflujo IR Fabricación del sistema fiable de electrodos de metales nobles (NME) con proceso en húmedo Hoja de datos Ver información de producto
DG611A Conmutador SPST cuádruple de alta precisión Características Baja fuga garantizada, 0,25 nA máx. a 85 °C Inyección de carga ultrabaja de 1 pC El amplio intervalo de tensión de funcionamiento admite carriles de alimentación sencillos y dobles Disponibles en TSSOP y miniQFN16 ultracompacto Hoja de datos Ver información de producto	CRHV Resistencia en chip de película gruesa de alta tensión Características Tensiones de trabajo de 1500 V a 3000 V; en valores de 2 MΩ a 50 GΩ Terminación envolvente estándar de 3 lados, con opciones que incluyen Flip-Chip Materiales de acabado disponibles para aplicaciones de soldadura, epoxi o unión por cable Diseños personalizados disponibles para cubrir las aplicaciones de los clientes Hoja de datos de diodos SMP12A Ver información de producto

Monitorización de pacientes

MLCC serie de alta fiabilidad Vitramon de Vishay para aplicaciones de alta fiabilidad Características C0G (N P0) y componentes dieléctricos X7R, tamaños: de 0402 a 3640, hasta 600 V, capacitancia de hasta 6,8 µF Disponibles con varias opciones de filtrado Disponibles con varias opciones de acabado, incluidos estaño y plomo, y componentes no magnéticos Fabricación del sistema fiable de electrodos de metales nobles (NME) con proceso en húmedo Hoja de datos Ver información de producto	Si1902CDL/SiA906EDJ/SiB912DK MOSFET de potencia de canal N dual de 20 V Características Tecnología de canal N de 20 V Corriente máxima de hasta 4,1 A Paquete PowerPAK® SC-70 de 2 mm x 2 mm y PowerPAK SC-75 de 1,6 mm x 1,6 mm Resistencia de encendido máxima de 0,046 Ω a VGS = 4,5 V Hoja de datos de Si1902CDL Hoja de datos de SiA906EDJ Hoja de datos de SiB912DK Ver información de producto	VBUS052CD-FAH Protección frente a ESD de puerto bus de 2 líneas Características Paquete LLP1713-7L compacto Altura de paquete baja < 0,6=""> Capacitancia de carga baja de CD = 0,8 pF Perfecto para líneas de datos a alta velocidad en aplicaciones médicas Hoja de datos Ver información de producto
DFN Divisor de red dual de resistencia de película fina de precisión plano sin plomo Características Pequeño tamaño: perfil de 4 mm x 4 mm x 1 mm; paso para terminales de 0,65 mm Divisores de resistencias habituales de 1:1 a 100:1 Tolerancias altas: valores iguales de ± 0,02 % Seguimiento TCR bajo: ± 3,0 ppm/°C; excelente estabilidad a largo plazo: ± 0,015 %; proporción ΔR 2000 h a 70 °C Hoja de datos	Series 298D (estándar) y 298W (ampliada) Microtan® Ideales para aplicaciones con limitación de espacio Características La mejor eficiencia volumétrica de la industria Tamaños pequeños, incluidos 0402, 0603 y 0805 Hoja de datos Ver información de producto	SiP32411 Interruptor de carga inteligente con control de velocidad de precesión de 2 A Características Tensión de funcionamiento de 1,1 V a 5,5 V RDS(on) plano y bajo en toda la tensión de funcionamiento Bloqueo de corriente inversa cuando el interruptor está apagado Empaquetado en un paquete TDFN compacto de 1,2 mm x 1,6 mm x 0,55 mm de cuatro terminales Hoja de datos Ver información de producto
PTF Resistencia de película metálica con plomo axial Características Tolerancias de alta precisión de ±0,01 % Alta estabilidad con coeficientes de temperatura de 5 ppm/°C El recubrimiento de epoxi patentado proporciona una protección superior frente a la humedad Se utiliza para equilibrar el circuito con precisión Hoja de datos Ver información de producto	Serie TNPW e3 Resistencias en chip de película fina de alta estabilidad Características Coeficiente de temperatura bajo y alta tolerancia: ± 0,1 %, ± 10 ppm/K Estabilidad global excelente en condiciones ambientales adversas Con calificación AEC-Q200 para automoción Tamaños de carcasa: de 0402 a 1210 Hoja de datos Ver información de producto	NTCS0805E3104SMT Termistor NTC SMD 0805 protegido por cristal Características R25 100 K ± 1 % con tolerancia B de 1 % Sensor de temperatura muy estable con desviación de R durante la vida útil de < 0,1=""> Alta temperatura de funcionamiento de hasta 150 °C Hoja de datos Ver información de producto
TFDU4101 Transceptor de infrarrojos para la comunicación inalámbrica Características Distancia de unión de 0 a 1 m Velocidad de datos de 115 kbit/s; SIR Paquete de montaje en superficie con vista lateral y vista superior; 4 mm x 9,7 mm x 4,7 mm La potencia dividida permite al emisor activarse con una fuente de alimentación independiente del receptor Hoja de datos Ver información de producto	NTHS0603 Termistor en chip 0603 SMD NTC Características Tolerancia R25 de 1 % Construcción monolítica de alta densidad con recubrimiento de vidrio Amplio intervalo de temperatura de funcionamiento: de - 40 °C a + 125 °C Hoja de datos de SMCJxx Ver información de producto

Ritmo cardíaco

Antena de chip cerámico serie VJ5301M400 diseñada para 400 MHz Características Estructura pequeña 5301 (35 mm x 5 mm x 1,2 mm) Interfaz de sintonización no equilibrada de 50 Ω con pérdida de RF baja, cerámica de alta calidad Ancho de banda sintonizado a media potencia de 120 MHz (de 360 MHz a 480 MHz) Fabricación del sistema fiable de electrodos de metales nobles (NME) con proceso en húmedo Hoja de datos de VJ5301M868MXBSR Hoja de datos de VJ5301M915MXBSR Hoja de datos de VJ5601M915MXBSR Hoja de datos de VJ5601M868MXBSR Ver información de producto	SMMA511DJ/SMMB912DK MOSFET de potencia de canal N dual de 20 V de par N y P de 12 V Características Flujo de proceso SMM de muy alta calidad Corriente máxima de hasta 4,5 A Paquete PowerPAK® SC-70 de 2 mm x 2 mm y PowerPAK SC-75 de 1,6 mm x 1,6 mm Resistencia de encendido máxima de 0,04 Ω Hoja de datos de SMMA511DJ Hoja de datos de SMMB912DK	MLCC serie de alta fiabilidad Vitramon de Vishay para aplicaciones de alta fiabilidad Características C0G (N P0) y componentes dieléctricos X7R, tamaños: de 0402 a 3640, hasta 600 V, capacitancia de hasta 6,8 µF Disponibles con varias opciones de filtrado Disponibles con varias opciones de acabado, incluidos estaño y plomo, y componentes no magnéticos Fabricación del sistema fiable de electrodos de metales nobles (NME) con proceso en húmedo Hoja de datos Ver información de producto
MSFM Resistencias en miniatura de contacto superior de película fina Características Tamaño pequeño, amplio intervalo de valores de resistencia óhmica y potencia nominal alta 0,015 pulg. x 0,015 pulg. Intervalo de valor de 2,5 Ω a 400 kΩ; tolerancias de ± 0,1 % Potencia nominal 250 mW Hoja de datos	Microtan® de alta fiabilidad serie TM8 Condensadores de tantalio de alta fiabilidad Características Diseños robustos para una fiabilidad máxima La mejor eficiencia volumétrica de la industria; perfectos para aplicaciones con límite de espacio Pequeño tamaño, incluido 0603 DCL bajo para una vida útil ampliada de las baterías Hoja de datos Ver información de producto	DG469 Interruptor analógico SPDT con RON baja de 36 V Características Admite un funcionamiento con alimentación sencilla y doble Intervalos de tensión de suministro de 4,5 V a 36 V Resistencia de encendido con conmutador baja de 3,6 Ω con planaridad de 0,4 Ω Disponible en paquetes MSOP8 y SOIC8 compactos Hoja de datos Ver información de producto
Serie TNPW e3 Resistencias en chip de película fina de alta estabilidad Características Coeficiente de temperatura bajo y alta tolerancia: ± 0,1 %, ± 10 ppm/K Estabilidad global excelente en condiciones ambientales adversas Con calificación AEC-Q200 para automoción Tamaños de carcasa: de 0402 a 1210 Hoja de datos Ver información de producto	Componentes magnéticos personalizados Antena/Bobina de telemetría Características Integrado con impresiones del cliente Instalación con certificación ISO 134858 Hoja de datos	IMBD4148-V-GS08 Diodo sencillo plano epitaxial de silicio Características Calificación AEC-Q101 Versión ecológica disponible Paquete SOT-23 Hoja de datos Ver información de producto

Glucómetros

IHLP-1212AB Inductor IHLP® de alta corriente y bajo perfil Características Construcción protegida Gestiona altos picos de corriente transitoria sin saturación Ruido de zumbido ultra bajo debido a la construcción con compuestos 100 % libre de plomo (Pb) y conforme con RoHS Hoja de datos Ver información de producto	SiP32431 Interruptor de carga inteligente con control de velocidad de precesión de 1 A Características Tensión de funcionamiento de 1,5 V a 5,5 V RDS(on) bajo con corriente inactiva de < 1="" µa="" ultra=""> Capacidad de bloqueo de corriente inversa Empaquetado en un paquete TDFN compacto de 1,2 mm x 1,6 mm x 0,55 mm de cuatro terminales Hoja de datos Ver información de producto	NTCS0603E3 Termistor NTC SMD 0603 protegido por cristal Características Tolerancia en R25 del 1 %, y en B25/85, del 1 % Alta temperatura de funcionamiento de hasta 150 °C Hoja de datos Ver información de producto
Serie TNPW e3 Resistencias en chip de película fina de alta estabilidad Características Coeficiente de temperatura bajo y alta tolerancia: ± 0,1 %, ± 10 ppm/K Estabilidad global excelente en condiciones ambientales adversas Con calificación AEC-Q200 para automoción Tamaños de carcasa: de 0402 a 1210 Hoja de datos Ver información de producto	NTCLE203E3103SB0 Termistor NTC con plomo radial de 2 puntos Características Precisión mayor de 0,5 °C en un intervalo de temperatura de 25 °C a 85 °C Cuerpo de sensor aislado de hasta 500 VRMS Hoja de datos Ver información de producto	MSS1P3U-M3/89A Schottky de 1 A 30 V en MicroSMP Características Perfil muy bajo: altura habitual de 0,68 mm Caída de tensión directa ultra baja Ideal para la ubicación automatizada Conforme con RoHS, sin halógenos Hoja de datos Ver información de producto
293D Condensador en chip moldeado en tantalio SMD Características Tantamount®, calificación estándar para usos industriales Carcasa moldeada disponible en seis códigos de carcasa Acabados: 100 % estaño mate, estándar, disponibles en estaño/plomo Compatible con equipos de recogida y colocación automáticos de gran volumen Hoja de datos Ver información de producto	Si1012CR MOSFET de potencia de canal N único de 20 V Características Tecnología de canal N de 20 V Corriente máxima de 0,5 A Paquete SC75A Máxima resistencia de encendido de 0,216 Ω a 4,5 V Hoja de datos Ver información de producto	BAT 54-02V-V-G-08 Diodo Schottky de señal pequeña Características Perfil muy bajo: altura habitual de 1,1 mm Protegido con un anillo de protección de unión PN contra el exceso de tensión Hoja de datos Ver información de producto

MRI

MLCC serie no magnética Vitramon de Vishay para aplicaciones no magnéticas Características C0G (N P0) y componentes dieléctricos X7R, tamaños: de 0402 a 3640, hasta 3000 V, capacitancia de hasta 6,8 µF Fabricado con materiales no magnéticos y filtrado de seguridad de propiedades magnéticas Los métodos de montaje permitidos son unión con epoxi conductivo y reflujo IR Fabricación del sistema fiable de electrodos de metales nobles (NME) con proceso en húmedo Hoja de datos Ver información de producto	Si4435DDY MOSFET de potencia de canal P único de - 30 V Características Paquete SO-8 Resistencia de encendido máxima de 0,024 Ω Carga de compuertas típica de 32 nC a VGS = 10 V Hoja de datos Ver información de producto	SD300C04 Diodos de recuperación estándar de 650 A Características Versión Hockey PUK Amplio intervalo de corriente Tensiones nominales altas de hasta 3200 V Capacidades de corriente de sobretensión altas Hoja de datos Ver información de producto
CRA06E Serie de resistencias de película gruesa Características Serie de terminales convexos con esquinas festoneadas Paquete de terminales de 8 pines Ahorra espacio en la PCB Perfecto para unidades de recogida y colocación a alta velocidad Hoja de datos Ver información de producto	MMKP383 Condensador MKP metalizado de CA y doble pulso Características Baja resistencia de contacto, dieléctrico de baja pérdida Elevada fuerza de pulso (hasta 20 000 V/µs) Dimensiones reducidas para paquetes de alta densidad Inclinación de los terminales de 7,5 mm a 37,5 mm Hoja de datos Ver información de producto	SiHFR9024/IRFR9024 MOSFET de potencia de canal P único de - 60 V Características Corriente máxima de - 8,8 A Paquete DPAK Máxima resistencia de encendido de 0,28 Ω a VGS = 10 V Hoja de datos Ver información de producto
20MT120UFAPbF Módulo MTP IGBT de puente completo de 20 A, 1200 V Características Tecnología sin perforación (NPT) ultrarrápida Diodos antiparalelos HEXFRED® con recuperación inversa ultrasuave Capacidad de cortocircuitos de 10 µs Optimizado para intervalos de frecuencia de 8 kHz a 60 kHz Hoja de datos Ver información de producto	Serie TNPW e3 Resistencias en chip de película fina de alta estabilidad Características Coeficiente de temperatura bajo y alta tolerancia: ± 0,1 %, ± 10 ppm/K Estabilidad global excelente en condiciones ambientales adversas Con calificación AEC-Q200 para automoción Tamaños de carcasa: de 0402 a 1210 Hoja de datos Ver información de producto	T83 COTS de alta fiabilidad de condensador en chip de tantalio SMD Características Opciones de ESR bajo y estándar Carcasa moldeada disponible en seis códigos de carcasa Opciones de prueba de corriente de sobretensión y grado Weibull Acabados: 100 % estaño mate y estaño/plomo Hoja de datos Ver información de producto
SFH6732 Octoacoplador de alta velocidad DIP-8, dual, 5 MBd Características 5 Mbits/s Compatible con TTL, LSTTL y CMOS Amplio intervalo de tensión de suministro (de 4,5 V a 15 V) Baja corriente de entrada (de 1,6 mA a 5 mA) Hoja de datos Ver información de producto	PNM Resistencia en chip de película fina no magnética Características Todos los materiales no magnéticos Características de rendimiento estable: 0,03 % ΔR a 70 °C, 10 000 h Tolerancia de ± 0,1 % Amplio intervalo de resistencia: de 10 Ω a 3 MΩ Hoja de datos Ver información de producto

Vishay

Publicado: 2019-11-07 | Actualizado: 2024-01-10