STMicroelectronics MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N

El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N deSTMicroelectronics depende de MDmesh™ V, una revolucionaria tecnología MOSFET de alimentación basada en un innovador proceso vertical patentado, que se combina con la conocida estructura de distribución horizontal PowerMESH ™ . El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N de STMicroelectronics cuenta con una resistencia de encendido extraordinariamente baja, que es incomparable entre otros MOSFET de alimentación a base de silicio, lo que le hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.

STMicroelectronics MDmesh M5 MOSFETs feature a silicon-based technology that combines an innovative proprietary vertical technology process with STMicroelectronics' PowerMESH horizontal layout. This technology achieves up to 40% better RDS(on) versus the previous MDmesh II technology and establishes a new milestone in the power switch arena.

View Surface Mount | Thru-Hole | MDmesh M5 Power MOSFETs

Características

  • Outstanding RDS(on) area values
  • Fast switching
  • High VDSS rating
  • High dV/dt capability
  • Easy to drive
  • 100% avalanche tested

Aplicaciones

  • SMPS (computers, high-efficiency adapters, and telecom)
  • Lighting (electronic ballast, HID)
  • Displays (TVs, monitors)
  • Solar converters
Publicado: 2011-09-15 | Actualizado: 2025-10-24