STMicroelectronics MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N
El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N deSTMicroelectronics depende de MDmesh™ V, una revolucionaria tecnología MOSFET de alimentación basada en un innovador proceso vertical patentado, que se combina con la conocida estructura de distribución horizontal PowerMESH ™ . El MOSFET de alimentación MDmesh™ V de canal N de STMicroelectronics cuenta con una resistencia de encendido extraordinariamente baja, que es incomparable entre otros MOSFET de alimentación a base de silicio, lo que le hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.STMicroelectronics MDmesh M5 MOSFETs feature a silicon-based technology that combines an innovative proprietary vertical technology process with STMicroelectronics' PowerMESH horizontal layout. This technology achieves up to 40% better RDS(on) versus the previous MDmesh II technology and establishes a new milestone in the power switch arena.
Características
- Outstanding RDS(on) area values
- Fast switching
- High VDSS rating
- High dV/dt capability
- Easy to drive
- 100% avalanche tested
Aplicaciones
- SMPS (computers, high-efficiency adapters, and telecom)
- Lighting (electronic ballast, HID)
- Displays (TVs, monitors)
- Solar converters
Publicado: 2011-09-15
| Actualizado: 2025-10-24
