IGBT de 600 hasta 650 V de STMicroelectronics

IGBT de 600 hasta 650 V de STMicroelectronics

Los IGBT de 600 hasta 650 V de STMicroelectronics ofrecen una corriente de colector máxima que va desde 3 A hasta 150 A para aplicaciones con una frecuencia de funcionamiento de hasta 100 kHz. Existen también versiones disponibles con un diodo antiparalelo integrado personalizado para la optimización del diseño. Este intervalo de tensión se consigue con la tecnología PowerMESH punch-through estándar patentada y la recientemente introducida tecnología trench-gate field-stop. Entre las aplicaciones objetivo de estos IGBT de 600 hasta 650 V, se incluyen electrodomésticos, calentamiento por inducción, fotovoltaica, UPS, soldaduras e iluminación. Las opciones de paquete disponibles son D2PAK, DPAK, ISOTOP, Max247, TO-220, TO-220FP, TO-247, TO-247 de cable largo y TO-3PF.

Características
  • Máxima temperatura de unión: TJ = 175 °C
  • Velocidad de conmutación muy elevada
  • Tensión de saturación baja
  • Distribución de parámetros ajustada
  • Paralelismo seguro
  • Resistencia térmica baja
  • Paquete sin plomo
  • Diodo antiparalelo de recuperación suave muy rápida
  • Diodo en paquete conjunto con recuperación suave VF bajo
  • Desconexión sin extremo
Aplicaciones
  • Calentamiento por inducción
  • Horno microondas
  • Convertidores resonantes
  • Inversores fotovoltaicos
  • Suministro de alimentación ininterrumpible (SAI)
  • Soldadura
  • Corrección del factor de potencia
  • Convertidores de frecuencia muy alta
  • Inversor
  • Control de motor
 
Part NumberData SheetCollector-Emitter Saturation VoltageContinuous Collector Current at 25 CPd - Power Dissipation
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  • STMicroelectronics
Publicado: 2013-07-19 | Actualizado: 2026-01-12