IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie M de STMicroelectronics
Los IGBT con tecnología Trench Gate Field-Stop serie M de STMicroelectronics están desarrollados con una estructura Trench Gate Field Stop propietaria. Representan un compromiso óptimo en rendimiento para maximizar la eficacia de los sistemas de inversores donde resulta esencial la capacidad de cortocircuito y poca pérdida. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo y una distribución de parámetros ajustada permiten un funcionamiento más seguro en paralelo. Algunas aplicaciones típicas para estos dispositivos son los accionamientos industriales, SAI, solar y soldadura.
