ROHM Semiconductor Automotive 40A & 80A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Automotive 40A and 80A Power MOSFETs are N-channel and P-channel devices. These AEC-Q101 qualified MOSFETs feature low on-resistance, ±80A/±160A pulsed drain current, and up to 142W power dissipation. The 40A and 80A power MOSFETs operate from -55°C to 175°C temperature range and are 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for ADAS, automotive, and lighting applications.

Features

  • Low on-resistance
  • ±80A/±160A pulsed drain current
  • Up to 142W power dissipation
  • -55°C to 175°C range temperature range
  • 100% avalanche tested
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant

Applications

  • ADAS
  • Automotive
  • Lighting
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Número de referencia Hoja de datos Tiempo de caída Transconductancia delantera: mín. Id: corriente de drenaje continuo Pd (disipación de potencia) Qg (carga de compuertas) Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Polaridad de transistor Tiempo típico de retraso de apagado Tiempo de retardo de conexión típico Vds (Tensión separación drenador-fuente) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
RD3E08BBJHRBTL RD3E08BBJHRBTL Hoja de datos 180 ns 20 S 80 A 142 W 150 nC 3.7 mOhms P-Channel 220 ns 19 ns 30 V - 20 V, 5 V 2.5 V
RD3G08DBKHRBTL RD3G08DBKHRBTL Hoja de datos 15 ns 12.1 S 80 A 76 W 28 nC 4.1 mOhms N-Channel 56 ns 18 ns 40 V 20 V 2.5 V
RH7G04BBJFRATCB RH7G04BBJFRATCB Hoja de datos 97 ns 14 S 40 A 75 W 25 nC 11.9 mOhms P-Channel 175 ns 14 ns 40 V - 20 V, 5 V 2.5 V
AG091FLD3HRBTL AG091FLD3HRBTL Hoja de datos 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
RD3L08DBKHRBTL RD3L08DBKHRBTL Hoja de datos 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
Publicado: 2025-05-19 | Actualizado: 2025-10-09