Renesas Electronics MOSFET de potencia REXFET-1 de 100 V y 150 V

Los MOSFET de potencia REXFET-1 de 100 V y 150 V de Renesas Electronics implementan la tecnología de puerta dividida, que reduce de forma significativa la resistencia de conducción RDSON y la Figura de Mérito, ideales para aplicaciones de alta corriente. Los dispositivos se encuentran disponibles en paquetes TOLL (TO sin terminales), TOLG (TO con terminales en forma de ala de gaviota) y TOLT (TO refrigerado por la parte superior) para un rendimiento térmico excepcional y una capacidad de potencia máxima. Además, los MOSFET cuentan con un paquete con flancos humectables para un excelente rendimiento de la unión de soldadura. Los MOSFET REXFET-1 se encuentran calificados con AEC-Q100 y cuentan con un soporte PPAP para aplicaciones en el sector automotriz.

Características

  • Producto calificado AEC-Q101 y soporte PPAP
  • Automoción y aplicaciones industriales
  • Reducción del espacio del 60 % en comparación con D2PAK-7
  • Bajo RDSON para reducir la pérdida de conducción
  • Alta capacidad de corriente con paquete TOLL/TOLG
  • Umbral de puerta de nivel estándar (VGS(th) = 2 V a 4 V)
  • Excelente combinación de coste-rendimiento con tecnología de puerta dividida

Aplicaciones

  • Conmutador de motor DC, BMS (FET de carga/descarga) y rectificación síncrona
  • Herramientas eléctricas y herramientas de jardinería
  • Robótica y AGV/AMR
  • Carretillas elevadoras, carritos de golf y patinetes eléctricos
  • Automóviles 48 V: OBC/DCDC, control de zona, BMS, control del motor, ventilador, bomba, asiento eléctrico, techo solar, EPS, EPB, compresor eléctrico, interruptor, iluminación led
  • E-movilidad: inversor de tracción para vehículos para 2 y 3-wheeler, xEV, carretillas elevadoras, vehículos comerciales

Especificaciones

  • Tecnología de puerta dividida para baja resistencia específica (Rsp)
  • Familia de 100 V:
    • Opciones de RDSON de 1,5 mΩ, 2,9 mΩ, 3,7 mΩ, 6,7 mΩ, 11,1 mΩ y 21 mΩ
    • 5x6 SO8-FL y 3x3 µSO8-FL con unión por abrazadera de cobre y flancos humectables
    • TOLL con flancos humectables y TOLG con patas en forma de ala de golondrina
  • Familia de 150 V:
    • Opciones de RDSON de 3,4 mΩ y 3,9 mΩ
    • TOLL con flancos humectables y TOLT para refrigeración por la parte superior

Paquetes

Diagrama de circuito de aplicación - Renesas Electronics MOSFET de potencia REXFET-1 de 100 V y 150 V

Diagrama de bloques

Diagrama de bloques - Renesas Electronics MOSFET de potencia REXFET-1 de 100 V y 150 V
Publicado: 2024-12-09 | Actualizado: 2026-02-05