MOSFET PowerTrench® de canal N de Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® de canal N de Fairchild Semiconductor se fabrican mediante el proceso PowerTrench® avanzado de Fairchild Semiconductor adaptado específicamente para minimizar la resistencia de estado de activación al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior. Los MOSFET PowerTrench® de canal N de Fairchild Semiconductor están disponibles en una gran variedad de especificaciones de tensión de drenaje a fuente, de 30 V a 250 V.
El FDD10N20LZ y el FDD7N25LZ son transistores de efecto de campo de alimentación con modo de mejora de canal N que se fabrican utilizando la tecnología DMOS de banda plana patentada por Fairchild. Esta tecnología avanzada se ha personalizado especialmente para minimizar la resistencia en estado de activación, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar elevados pulsos de energía en el modo de avalancha y de conmutación. Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación con modo de conmutación de alta eficiencia y corrección de factor de potencia activo.
El FDMC6296 es un MOSFET de canal N único en un paquete MicroFET térmicamente eficiente que se ha diseñado de forma específica para funcionar correctamente en convertidores de punto de carga. Al proporcionar un equilibrio óptimo entre rDS(on) y carga de puertas, este dispositivo se puede utilizar de forma efectiva como interruptor de control de "lado alto" o rectificador síncrono de "lado bajo".
Número de referencia
Paquete / Caja
Vds - tensión de separación drenador-fuente
Id: corriente de drenaje continuo
Rds activo - (drenaje de la fuente en resistencia)
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