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MOSFET de alimentación Fairchild
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La gama de MOSFET de alimentación de Fairchild es una de las más amplias del sector, con una resistencia de activación especialmente baja y rendimiento de carga de compuerta bajo. Los productos se ofrecen en versiones de tensión baja (<250 v)="" y="" alta="" tensión="" (="">200 V) en una amplia variedad de índices de RDS(on), tensiones, corrientes de drenaje e innovadores paquetes, todo ello combinado con la tecnología más avanzada.
Recursos adicionales Aspectos básicos de los MOSFET |
PowerTrench®
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Fairchild ofrece la gama de de MOSFET PowerTrench® más amplia del sector. Elija entre las diferentes tecnologías para obtener el MOSFET adecuado para su aplicación. Fairchild ofrece versiones de canal N y canal P de los MOSFET con su avanzado proceso PowerTrench®, que ha sido optimizado para un rendimiento de conmutación de RDS(on) bajo y para mejorar su resistencia. Estos MOSFET PowerTrench® se ofrecen con opciones para satisfacer las necesidades de la mayoría de aplicaciones, como conmutadores de carga, dispositivos móviles, convertidores CC-CC, rectificadores síncronos y mucho más. Recursos adicionales |
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Características
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Aplicaciones
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Valor de mérito normalizado (FOM) [RDS(on)*Qg] |
Carga de compuerta (Qg) [nC] |
Carga de recuperación de inversión (Qrr) y Vds (pico) |
Mayor eficiencia con el MOSFET PowerTrench® más reciente |
QFET®
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Los MOSFET de tecnología planar QFET de Fairchild ofrecen carga de compuerta baja, resistencia de activación baja (RDS(on)) Crss bajo, el mejor di/dt, conmutación rápida y capacitancia de salida baja (Coss). |
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SuperFET™
| Los MOSFET de alimentación SuperFET® de Fairchild son una nueva generación patentada de dispositivos MOSFET de alta tensión que utilizan un mecanismo de equilibrado de carga avanzado para obtener una elevada resistencia de activación y un menor rendimiento de carga de compuertas. Esta avanzada tecnología se ha perfeccionado para minimizar las pérdidas en conducción, para ofrecer un rendimiento de conmutación superior y soportar una tasa de dv/dt extrema y una mayor sobrecarga de energía. Estos MOSFET SuperFET® son adecuados para diferentes sistemas de conversión de alimentación CA/CC en modo de conmutación para la miniaturización de sistemas y una mayor eficiencia. Recursos adicionales MOSFET de alimentación SuperFET® II |
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FRFET SuperFET™
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El MOSFET de alimentación FRFET SuperFET de Fairchild ofrece niveles reducidos de trr y Qrr, lo que permite alcanzar una frecuencia de funcionamiento elevada (>250 kHz). Entre sus características también se incluye la inmunidad de dv/dt con mayor nivel de recuperación de diodo, un aumento de la inmunidad de dv/dt de desactivación y una mejora en las características de EMI (recuperación blanda). Las soluciones de empaquetado ofrecen ventajas como un tamaño superior, altura reducida del paquete y un excelente rendimiento térmico y eléctrico. |
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SupreMOS™
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Los MOSFET de alimentación SupreMOS™ de Fairchild es su última generación de MOSFET de alta tensión y gran capacidad de unión, que emplean un proceso de relleno profundo que lo diferencia de las tecnologías anteriores basadas en epi múltiples. Al utilizar esta tecnología avanzada y un control preciso, SupreMOS ofrece un RDS(on) de máxima calidad, un rendimiento de conmutación superior y solidez. |
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Características
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SupreMOS® frente a otras soluciones alternativas |
Mayor eficiencia con SupreMOS® |
SyncFET™
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Los MOSFET de canal N PowerTrench® SyncFET™ de Fairchild están diseñados para minimizar las pérdidas en aplicaciones de conversión de alimentación y para minimizar la resistencia de estado activado. Los MOSFET de canal N PowerTrench® SyncFET™ utilizan una tecnología de silicio para mejorar de forma importante el rendimiento y reducir el coste general del sistema. Con un diodo Schottky integrado, estos MOSFET de canal N PowerTrench® SyncFET™ de Fairchild ofrecen un rendimiento similar (control de alimentación y corriente elevadas) al de un MOSFET y un rectificador Schottky por separado, incluidos en un único paquete. Esta integración reduce el espacio en prácticamente un 50% y proporciona un ahorro en los costes y en el proceso de fabricación. Las aplicaciones pueden incluir ordenadores portátiles, servidores, dispositivos de telecomunicaciones, convertidores CC-CC tipo Buck, fuentes de alimentación con conmutación CC-CC de alta eficiencia y rectificadores síncronos para convertidores CC-CC. Recursos adicionales MOSFET de canal N PowerTrench® SyncFET™ |
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UniFET™
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Los MOSFET UniFET™ de Fairchild Semiconductor son transistores de efecto de campo de alimentación con modo de mejora que se fabrican utilizando la tecnología DMOS de banda plana patentada por Fairchild. La tecnología avanzada de los MOSFET UniFET™ Fairchild Semiconductor se ha personalizado para minimizar la resistencia de activación, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar elevados pulsos de energía en el modo de avalancha y de conmutación. Estos MOSFET de Fairchild son adecuados para fuentes de alimentación con modo de conmutación de alta eficiencia y corrección de factor de potencia activo. Recursos adicionales |
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