Los MOSFET de canal P de tensión media de Fairchild son MOSFET de canal P de 100 y 150 V que ofrecen los mejores RDS-ON and Qg del sector. Todos estos dispositivos se fabrican utilizando la avanzada tecnología PowerTrench® de Fairchild. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado de activación y optimizado para obtener un rendimiento de conmutación superior. Entre las aplicaciones típicas se incluyen conmutación de lado alto en controladores de motores e iluminación, fijación activa en CC-CC y conmutación de carga.
Características
Perfil bajo: 0,8 mm de máximo en el nuevo MicroFET de 2x2 mm
Tecnología de silicio de canal P de media tensión RDS-ON muy baja optimizada para Qg bajo
Este producto está optimizado para aplicaciones de conmutación rápida, así como para aplicaciones de conmutación de carga
100% UIL comprobado
Conforme RoHS
Aplicaciones
Conmutador de abrazadera activa
Conmutación de carga
Número de referencia
Paquete / Caja
Vds (tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
