NXP permite a los diseñadores cumplir con las especificaciones de las aplicaciones RF más exigentes. Con los productos RF de NXP puede diseñar sistemas según las especificaciones más exigentes manteniendo al mismo tiempo el potencial equilibrio con respecto a los niveles de eficiencia, potencia, resistencia, coherencia e integración. Tanto si busca mejorar el rendimiento RF como diseñar una cadena de señales de alta eficiencia o innovar con una innovadora aplicación ISM, la creatividad y el apoyo experto de NXP pueden ayudarle en cada paso.
Líder en la industria de RF de alto rendimiento, NXP envía anualmente más de 4 mil millones de productos. Estos productos RF de alto rendimiento desempeñan un papel esencial en una amplia variedad de aplicaciones: desde receptores satélite, estaciones de base celular y transmisores de difusión a aplicaciones ISM (industrial, científico y médico), aeroespaciales y de defensa. Las innovadores arquitecturas de amplificación de potencia Doherty, las interfaces de datos en serie JESD204A y los LNA GPS de minuto son algunas de las constantes innovaciones que NXP pone a su disposición.
Los MMIC (CI de microonda monolítico) RF inteligentes de NXP compensan automáticamente las variaciones de temperatura y proceso. Reducen drásticamente los requisitos de espacio de la placa integrando los transistores, resistencias y condensadores en un único dispositivo. La amplia selección de NXP de bloques de ganancia de 50 Ω y dispositivos de bajo ruido no necesita ningún componente externo, por lo que reduce los costes generales del sistema y aumenta la fiabilidad.
NXP es uno de los mayores proveedores mundiales de productos CATV, ofreciendo receptores ópticos, duplicadores de potencia, push-pulls y amplificadores inversos. También disponemos de soluciones completas para una amplia gama de sistemas de red óptica, fabricados con procesos de última generación.
Clasificados según la frecuencia de transición y el rendimiento de ruido/ganancia, los transistores de banda ancha de NXP ofrecen un grupo de opciones de paquetes, procesos y especificaciones. La gama está ahora en su 7.ª generación y ofrece frecuencias de funcionamiento de 100 MHz a 20 GHz
NXP ofrece una amplia gama de FET de señal pequeña RF probados desde MOSFET de compuerta doble de canal N hasta JFET de canal P dedicados para aplicaciones de conmutación.
Junto con las soluciones bipolares, NXP -líder mundial en LDMOS- le ofrece una gama de transistores de potencia RF que ofrece la mejor eficiencia, potencia y resistencia de su categoría y cubre todas las gamas de frecuencia para estaciones base, difusión/ISM y aplicaciones de defensa y aeroespaciales.
NXP Semiconductors ofrece transistores de microondas BFU7xxF con un paquete SOT343F de bajo ruido, alta linealidad en un plástico y emisor dual de 4 pines. Los transistores de microondas BFU710F presentan una ganancia de potencia máxima de 14 dB a 12 GHz y valor de ruido = 1,45 dB a 12 GHz. Los transistores de microondas BFU760F presentan una salida de punto de interceptación de 3er orden de 32 dBm a 1,8 GHz. Los transistores de microondas BFU790F presentan una potencia de salida máxima a una compresión de 1 dB de 20 dBm a 1,8 GHz. Las aplicaciones para los transistores de microondas BFU7xxF de NXP Semiconductors incluyen aplicaciones de alta linealidad, aplicaciones de potencia de salida media, GPS, ZigBee y Bluetooth.