Nexperia FET GaN bidireccional GANB8R0-040CBA

El FET de nitruro de galio (GaN) bidireccional de Nexperia GANB8R0-040CBA es un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) GaN bidireccional de 40 V de 8,0 mΩ alojado en un paquete compacto de escala de chip a nivel de placa (WLCSP) de 1,7 mm x 1,7 mm. Este dispositivo de modo de mejora normalmente apagado ofrece una velocidad de conmutación ultraalta y una baja resistencia en estado de conducción, lo que hace que el Nexperia GANB8R0-040CBA sea ideal para aplicaciones que requieren una gestión eficiente de la energía y una alta densidad de potencia. La capacidad bidireccional y el rendimiento superior del dispositivo lo hacen adecuado para interruptores de carga en el lado alto, protección contra sobretensión y convertidores de CC a CC.

Características

  • GaN bidireccional HEMT de 40 V y 8,0 mΩ
  • Interruptor de potencia en modo de mejora, normalmente apagado
  • Dispositivo bidireccional
  • Capacidad de velocidad de conmutación ultraalta
  • Resistencia en estado encendido ultrabaja
  • Alta eficiencia y alta densidad de potencia
  • Paquete de escala de chip a nivel de placa (WLCSP) de 1,7 mm x 1,7 mm
  • Sin plomo y conforme a RoHS/REACH

Aplicaciones

  • Interruptores de carga de lado alto
  • Protección OVP en puertos USB de teléfonos inteligentes
  • Convertidores CC-CC
  • Circuitos de interruptor de alimentación
  • Sistemas de alimentación en espera

Especificaciones

  • Tensión máxima de drenaje a drenaje y de drenaje a puerta de 40 V
  • Tensión máxima de puerta a drenaje de 6 V
  • Corriente máxima de drenaje de 14 A, pico de 70 A
  • Disipación máxima de potencia total de 15 W
  • Rango típico de resistencia de drenaje a drenaje en estado encendido de 6,1 mΩ a 11 mΩ
  • Resistencia de puerta típica de 3,2 Ω
  • Carga total de puerta típica de 10,1 nC
  • Carga de salida típica de 8 nC
  • Capacitancia de entrada típica de 566 pF
  • Capacitancia de salida típica de 243 pF
  • Capacitancia de transferencia inversa típica de 145 pF
  • Intervalo de temperatura de unión de -40 °C a +125 °C
  • Temperatura máxima de soldadura de +260 °C

Información de conexión de pines

Dibujo mecánico - Nexperia FET GaN bidireccional GANB8R0-040CBA
Publicado: 2025-04-07 | Actualizado: 2026-01-20