Infineon Technologies IGBT Gen8 de 1200 V de International Rectifier

Los IGBT Gen8 de 1200 V de International Rectifier incluyen la tecnología de última generación Trench Gate Field-Stop de IR que se ofrece en paquetes TO-247 estándar del sector para proporcionar un rendimiento de primer orden para aplicaciones industriales y de ahorro de energía. La tecnología Gen8 ofrece un apagado más suave perfecto para aplicaciones de accionamiento de motor, lo que minimiza dv/dt para reducir las EMI y la sobretensión, lo que aumenta la fiabilidad y la robustez. Estos IGBT Gen8 ofrecen valores nominales de corriente de 8 A hasta 60 A con VCE(ON) típico de 1,7 V, y un valor nominal de cortocircuitos de 10 µs para reducir la disipación de potencia, lo que da como resultado una mayor densidad de potencia y solidez. Mediante el uso de la tecnología de placa fina, los IGBT Gen8 de 1200 V ofrecen una mayor resistencia térmica y una temperatura de unión máxima de hasta 175 °C.

Características

  • Low VCE(ON) for high efficiency in a motor drive applications
  • 10μs Short Circuit SOA increases margin for short circuit protection scheme
  • Positive VCE(ON) Temperature Coefficient for excellent current sharing in parallel operation
  • Square RBSOA and high ILM- rating for rugged transient performance
  • Lead-free, RoHS compliant

Aplicaciones

  • Industrial motor drives
  • UPS
  • Solar inverters
  • Welding

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Número de referencia Corriente continua del colector a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Pd (disipación de potencia) Hoja de datos
IKW08N120CS7XKSA1 21 A 100 nA 106 W IKW08N120CS7XKSA1 Hoja de datos
IKW15N120T2 30 A 600 nA 235 W IKW15N120T2 Hoja de datos
IKW25N120T2 50 A 200 nA 349 W IKW25N120T2 Hoja de datos
IKW40N120T2 75 A 200 nA 480 W IKW40N120T2 Hoja de datos
Publicado: 2014-12-11 | Actualizado: 2022-03-11