Infineon Technologies IGBT Gen8 de 1200 V de International Rectifier
Los IGBT Gen8 de 1200 V de International Rectifier incluyen la tecnología de última generación Trench Gate Field-Stop de IR que se ofrece en paquetes TO-247 estándar del sector para proporcionar un rendimiento de primer orden para aplicaciones industriales y de ahorro de energía. La tecnología Gen8 ofrece un apagado más suave perfecto para aplicaciones de accionamiento de motor, lo que minimiza dv/dt para reducir las EMI y la sobretensión, lo que aumenta la fiabilidad y la robustez. Estos IGBT Gen8 ofrecen valores nominales de corriente de 8 A hasta 60 A con VCE(ON) típico de 1,7 V, y un valor nominal de cortocircuitos de 10 µs para reducir la disipación de potencia, lo que da como resultado una mayor densidad de potencia y solidez. Mediante el uso de la tecnología de placa fina, los IGBT Gen8 de 1200 V ofrecen una mayor resistencia térmica y una temperatura de unión máxima de hasta 175 °C.Características
- Low VCE(ON) for high efficiency in a motor drive applications
- 10μs Short Circuit SOA increases margin for short circuit protection scheme
- Positive VCE(ON) Temperature Coefficient for excellent current sharing in parallel operation
- Square RBSOA and high ILM- rating for rugged transient performance
- Lead-free, RoHS compliant
Aplicaciones
- Industrial motor drives
- UPS
- Solar inverters
- Welding
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| Número de referencia | Corriente continua del colector a 25 C | Corriente de fuga puerta-emisor | Pd (disipación de potencia) | Hoja de datos |
|---|---|---|---|---|
| IKW08N120CS7XKSA1 | 21 A | 100 nA | 106 W | ![]() |
| IKW15N120T2 | 30 A | 600 nA | 235 W | ![]() |
| IKW25N120T2 | 50 A | 200 nA | 349 W | ![]() |
| IKW40N120T2 | 75 A | 200 nA | 480 W | ![]() |
Publicado: 2014-12-11
| Actualizado: 2022-03-11

