Topología de alta potencia SMPS de Infineon Technologies

La topología de alta potencia SMPS de Infineon Technologies es adecuada para aplicaciones con una potencia superior a los 400 W. Tras la fase de extremo delantero de un rectificador CA/CC, es necesario un convertidor de alimentación CC/CC para reducir la tensión del bus y proporcionar un aislamiento galvánico y una salida de CC con regulación precisa (por ejemplo, 12 V, 24 V, 48 V). Aunque se dispone de una amplia gama de topologías aisladas, el convertidor de puente completo y cambio de fases es más adecuado para aplicaciones de alta potencia, debido a su conmutación de tensión cero para conmutadores de lado principal.

Acelere sus diseños de fuentes de alimentación utilizando archivos Active Design, que simplifican los cálculos necesarios para determinar las pérdidas de potencia, la selección de dispositivos de alimentación y los componentes pasivos.  Estos documentos de trabajo están integrados y se pueden ejecutar en MathCad Express e incluyen el contenido de las notas de diseño, que describen los aspectos fundamentales de cada topología. Si ya tiene instalado MathCad en su máquina, solo tiene que abrir los archivos .mcdx en las áreas de entrada indicadas por el usuario y designadas mediante campos de color verde y naranja en función de los requisitos del sistema y las especificaciones de los componentes.
Duplicador de corriente de puente completo de 600 W Express.mcdx

La serie de MOSFET de potencia CP CoolMOS de Infineon Technologies satisface las exigencias de miniaturización y mejora de la eficiencia de los sistemas al ofrecer una gran reducción de resistencia de activación para fuente de drenaje (R_DSon) en un paquete establecido, carga de compuerta total muy baja y un consumo de energía muy bajo en la salida de capacitancia. Las aplicaciones habituales para la serie CP CoolMOS son las fuentes de alimentación de servidores y soluciones de telecomunicaciones, adaptadores para portátiles, TV LCD, fuentes de alimentación para ATX y consolas de videojuegos, y resistores de iluminación.

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ThinQ!™ Generation 5 representa la última tecnología de Infineon para los diodos de barrera Schottky SiC. Gracias a un diseño más compacto y a su tecnología de oblea fina, la nueva familia de productos muestra una mayor eficiencia para cualquier condición de carga, dando como resultado una mejora en las características térmicas y un valor de mérito (Q_c x V_f) inferior. El nuevo thinQ!™ Generation 5 se ha diseñado para complementar nuestras familias CoolMOS™ de 650 V: esto garantiza el cumplimiento de los requisitos de las aplicaciones más exigentes en este rango de tensión.

Hoja de datos IDW12G65C5
Hoja de datos IDW10G65C5
Obtener más información acerca de los diodos de barrera Generation 5 SiC de Infineon

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• Material semiconductor revolucionario: carburo de silicio
• Comportamiento de conmutación de referencia
• Sin recuperación inversa / Sin recuperación de avance
• Propiedades de conmutación independientes de la temperatura
• Alta capacidad de corriente de sobretensión
• Revestimiento de terminales sin Pb; conforme con RoHS
• Homologado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones específicas
• Optimizado para su funcionamiento a altas temperaturas
• Mejora de la eficiencia del sistema respecto a los diodos de Si

• Ahorro de coste / tamaño del sistema gracias a sus reducidos requisitos de refrigeración
• Habilitación de soluciones de frecuencias más elevadas / mayor densidad de potencia
• Mayor fiabilidad del sistema gracias a unas temperaturas de funcionamiento inferiores
• Reducción de EMI

• Fuente de alimentación en modo de conmutación
• Corrección del factor de potencia
• Inversor solar

El controlador PFC ICE3PCS01G de Infineon es un CI de controlador de 14 pines para un amplio rango de entradas, que se puede utilizar en convertidores con corrección de factor de potencia activo. Está diseñado para convertidores con topología de impulso y requiere un número reducido de componentes externos. Se recomienda que su fuente de alimentación sea una fuente de alimentación auxiliar, capaz de conmutar el funcionamiento del IC.

• PFC con modo de funcionamiento con corriente continua
• Amplio rango de entradas de V_cc hasta 25 V
• Nivel programable de pasos del seguidor de impulsos en función de la línea de entrada y de las condiciones de potencia de salida
• Respuesta dinámica mejorada sin distorsión de la corriente de entrada
• Umbral de protección preciso para caídas de tensión
• Compensación de bucle de corriente externa para una mayor flexibilidad de uso
• Protección de bucle abierto
• Segunda protección de sobretensión
• Función de habilitación de PFC
• Pines independientes para señal y masa de alimentación
• Ciclo de servicio máximo del 95% (típico)

Hoja de datos

MOSFET principales

CoolMOS es una revolucionaria tecnología para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos para cubrir las necesidades de los consumidores. Las series CFD y CFD2 CoolMOS de 650 V combinan la experiencia del principal proveedor de MOSFET SJ con innovación de primera clase. Los dispositivos resultantes ofrecen todos los beneficios de un MOSFET SJ rápido a la vez que ofrecen un diodo extremadamente sólido y rápido. Esta combinación de conmutación y pérdidas de conducción extremadamente bajas junto con la mayor solidez hace que las aplicaciones de conmutación especialmente resonantes sean más fiables, más eficientes, ligeras y refrigeradas.

Hoja de datos de IPW65R310CFD
Hoja de datos de IPW65R190CFD
Obtener más información acerca de los transistores de potencia CoolMOS de Infineon

• Diodo de cuerpo ultrarrápido
• Solidez de conmutación muy elevada
• Pérdidas muy bajas gracias a un FOM RDS(on)*Qg y un EOSS muy bajos
• Fácil de usar/controlar
• Homologado para aplicaciones industriales de acuerdo con la norma JEDEC (J-STD20 y JESD22)

• Fases de PWM con conmutación con resonancia para PC Silverbox, TV LCD, iluminación, servidores y telecomunicaciones

MOSFET secundario

Los MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ de Infineon son MOSFET de alimentación de máxima calidad para soluciones de muy elevada densidad de potencia y eficientes energéticamente. Las cargas ultrabajas de compuerta y salida, junto con la resistencia más baja de estado de activación en paquetes de tamaño reducido hacen que los MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™ de Infineon sean la mejor opción para los exigentes requisitos de las soluciones de regulación de tensión en aplicaciones de servidores, comunicación de datos y telecomunicaciones. Los FET de control de conmutación ultrarrápida junto con los FET de sincronización con EMI baja proporcionan soluciones fáciles de diseñar. Los transistores de potencia de canal N OptiMOS™ de Infineon proporcionan una excelente carga de compuerta y están optimizados para la conversión CC-CC.

Hoja de datos
Más información sobre los MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon

• Tecnología optimizada para rectificación síncrona
• Ideal para conmutación de frecuencias altas y convertidores CC/CC
• Excelente producto de carga de compuerta x R_DS(act.) (FOM)
• Resistencia de activación R_{DS(act.) muy baja}
• Canal N, nivel normal
• Resistencia frente a avalanchas probada al 100%
• Revestimiento sin plomo, conforme con la RoHS, sin halógenos
• Homologado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones específicas

• Alimentación en la placa para servidores
• Gestión de alimentación para sistemas informáticos de altas prestaciones
• Rectificación síncrona
• Punto de densidad de alta potencia de convertidores de carga