SemiQ Featured Products
Dispositivos discretos MOSFET SiC GEN3 de 1200 V
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
Módulos de potencia MOSFET SiC GEN3 de 1200 V
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
Diodo Schottky de SiC QSiC™ de 1700 V GP3D050B170B
Se suministra en un paquete TO-247-2L diseñado para satisfacer las demandas de tamaño y potencia en una amplia gama de aplicaciones.
Módulos de medio puente MOSFET SiC GCMX de 1200 V
Pérdidas de conmutación bajas, resistencia térmica de unión a carcasa baja y montaje muy resistente y fácil.
Módulos de puente completo MOSFET SiC GCMX de 1200 V
Ideales para inversores fotovoltaicos, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores de CC a CC de alta tensión.
GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.