Infineon Technologies MOSFET de potencia IRF540N/Z Advanced HEXFET®
Los MOSFET de potencia IRF540N/Z Advanced HEXFET® de International Rectifier emplean técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación, un diseño de dispositivo resistente y una temperatura de funcionamiento en uniones de 175 °C, por lo que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al diseñador un dispositivo sumamente eficiente y fiable para utilizarlo en una amplia variedad de aplicaciones.
Características
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- 175°C operating temperature
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Lead-free
Aplicaciones
- AC-DC
- Appliances
- Audio
- Industrial
- Lighting
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| Número de referencia | Hoja de datos | Id: corriente de drenaje continuo | Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) | Pd (disipación de potencia) |
|---|---|---|---|---|
| IRF540NSTRLPBF |  |
33 A | 44 mOhms | 3.8 W |
| IRF540ZPBF | |
36 A | 26.5 mOhms | 92 W |
| IRL540NSTRLPBF | |
36 A | 63 mOhms | 3.8 W |
| IPI086N10N3 G | |
80 A | 8.2 mOhms | 125 W |
Publicado: 2014-08-07
| Actualizado: 2022-03-11